书目信息 |
| 题名: |
先进半导体存储器
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| 作者: | 夏尔马, 著 ;曾莹 译 | |
| 分册: | ||
| 出版信息: | 北京 电子工业出版社 2005.01 |
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| 页数: | 448页 | |
| 开本: | 26cm | |
| 丛书名: | 国外电子与通信教材系列 | |
| 单 册: | ||
| 中图分类: | TP333.5 | |
| 科图分类: | ||
| 主题词: | 电子计算机--dian zi ji suan ji--半导体存贮器--教材 | |
| 电子资源: | ||
| ISBN: | 7-5053-9948-9 | |
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| 001 | 010262350953 | |
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| 010 | @a7-5053-9948-9@dCNY43.00 | |
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| 106 | @ar | |
| 200 | 1 | @a先进半导体存储器@Axian jin ban dao ti cun chu qi@e结构、设计与应用@d= Advanced semiconductor memories@f(美) Ashok K. Sharma著@F(mei)Ashok K.Sharma zhu@g曾莹等译@Gceng ying deng yi@zeng |
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| 225 | 2 | @a国外电子与通信教材系列@Aguo wai dian zi yu tong xin jiao cai xi lie |
| 305 | @a据The Institute of Electrical and Electronics Engineers 2003年英文版译出 | |
| 306 | @a由John Wiley & Sons授权电子工业出版社出版 | |
| 314 | @a责任者规范汉译姓:夏尔马 | |
| 320 | @a有书目。 | |
| 330 | @a本书介绍了先进半导体存储器的技术与发展,讲解了静态随机存取存储器技术、高性能的动态随机存取存储器、专用DRAM的结构和设计,先进的不挥发存储器的设计和技术、嵌入式存储器的设计和应用,以及未来存储器的发展方向等。 | |
| 410 | 0 | @12001 @a国外电子与通信教材系列 |
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| 517 | 1 | @a结构、设计与应用@Ajie gou、she ji yu ying yong |
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| 701 | 1 | @a夏尔马,@Axia er ma,@bA. K.@g(Sharma, Ashok K.)@4著 |
| 702 | 0 | @a曾莹@Aceng ying@4译 |
| 801 | 0 | @aCN@b新华书店@c20050520 |
| 905 | @dTP333.5 | |
| 先进半导体存储器:结构、设计与应用= Advanced semiconductor memories/(美) Ashok K. Sharma著/曾莹等译.-北京:电子工业出版社,2005.01 |
| 448页:图;26cm.-(国外电子与通信教材系列) |
| ISBN 7-5053-9948-9:CNY43.00 |
| 本书介绍了先进半导体存储器的技术与发展,讲解了静态随机存取存储器技术、高性能的动态随机存取存储器、专用DRAM的结构和设计,先进的不挥发存储器的设计和技术、嵌入式存储器的设计和应用,以及未来存储器的发展方向等。 |
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正题名:先进半导体存储器
索取号:TP333.5
 
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